（原标题：台积电先进封装奠基人：余振华退休）魔投网
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来源：内容来自Digitimes。
台积电研究发展副总经理暨卓越科技院士余振华，于2025年7月8日正式退休。
而台积「研发六骑士」的美谈并未熄灭，这位真正尚在近期，仍于台积电任职的「最终骑士」余振华，也被半导体业界高度评价，十足地推动台积电站上晶圆代工产业顶峰。
业界人称道格（英文名）的余振华，自1994年加入台积电，从铜制程的重大突破，到领军开发CoWoS、InFO等划时代先进封装技术，为台湾半导体技术创下无数里程碑，对台积电登上全球晶圆代工龙头地位贡献深远。
业界认为，余振华对台积电先进封装与异质系统整合制程居功厥伟，尤其是目前AI最夯的CoWoS封装技术更由他一手推动，余振华退休后，他的工作交由另一位副总徐国晋负责。
半导体业界近期传出余振华将从台积电退休。
台积证实，余振华退休，台积电感谢余振华多年来对公司的贡献，并预祝他退休生活愉快。
余振华成就台积电先进封装
1955年出生于基隆的余振华，1977年自清大物理系毕业，1979年取得材料工程硕士学位，并于1987年获美国乔治亚理工学院材料工程博士学位，毕业后进入当时全球最先进的美国AT&T贝尔实验室，参与单晶片电浆辅助薄膜蒸镀与低功率元件等制程技术的研发，开启其半导体研究生涯。
余振华1994年返台，加入台积研发部门，负责关键制程模组开发。并在1997年着手推动铜导线制程，领军建立全台首座铜制程实验室，自主研发出0.18微米先进铜制程，成功实现150纳米到130纳米制程世代转换，更确立了铜导线取代铝的业界趋势。
余振华多年来聚焦IC后段制程技术与材料创新，累积取得超过190项美国与173项台湾专利，涵盖低介电材料、封装整合技术与先进制程等多个关键领域。
除了技术贡献，余振华也是推动台湾产业链整合的关键人物，其力拱的3D晶片整合与硅穿孔（TSV）技术，带动上下游厂商投入3D晶片设备研发，进一步强化台湾先进封装产业聚落。
余振华历任台积电先进晶圆制程资深处长、先进封装技术处副总经理，也是台积电唯一的「卓越科技院士」，长期致力于半导体封装与异质整合系统的研发，横跨从晶圆制程、材料科学到封装设计等多领域，其于产学界享有崇高声望。
他曾任IEEE IITC联合主席，并为国际构装暨电路板研讨会（IMPACT）指导委员，也是美国国家工程学院（NAE）院士，曾获颁张忠谋博士创新奖。
徐国晋是谁？
徐国晋先生于1986年毕业于国立台湾大学物理系，并于1994年取得国立交通大学科技管理硕士学位。
工作方面，曾担任台积电美国的8吋厂WaferTech总经理，2015年辞职后加入美光；他在半导体业界累计超过30多年经历，美光肯定他历任多项制造工程与管理等高阶职务，以技术转移与优化、改善良率、提升新厂区产能见长，前年10月升任台湾美光董事长，更凸显他在美光与台湾长期合作关系中，扮演着至关重要的角色。不过，他还是挥别美光，回任台积电掌管先进封测研发。
根据台积电官网介绍魔投网，徐国晋先生为台积公司Integrated Interconnect & Packaging副总经理，负责开发台积公司之三维积体电路（3D IC）及先进封装等系统整合技术。
在加入台积公司之前，徐国晋先生担任台湾美光董事长，负责美光在台湾的整体生产营运。徐国晋先生亦曾担任台积公司首座美国晶圆厂TSMC Washington的总经理，成功提升效能达到公司的平均水准。他在半导体业拥有超过30年的丰富经验，在技术移转与优化、良率改善、以及提升新厂产能等方面都具备优良的纪录。
在去年九月的一场演讲中，徐国晋表示，其实整个半导体产业在历经长时间的发展之后，现在是由不同的原件的设计，要逐步聚焦到互补金属氧化物半导体(CMOS) 元件的技术的开发跟这个应用上，而节能就是CMOS 很重要的一个优势。
而当CMOS 成为整个商业应用的主流之后，整个产业的发展，不管在产品设计或制程的研发上就有了很大的突飞猛进提升，也让产业分工，上下游的衔接也更加的明确。相对在硅光子元件上，目前还是在一个比较初期的百花齐放阶段，未来将随着AI 时代的大量演算应用，数据大量传输，使得耗能就变成一个很重要的议题。这时，硅光的导入就变成了对数据中心跟AI 产业一个很重要的趋势。
徐国晋指出，过去台湾已经有很好的半导体产业的基础，自然台湾也一定有相对的优势进入与扩展硅光子这一个领域。现阶段，希望透过这个硅光子产业联盟的成立，大家可以一起来推动相关技术的规格的决议、整合上相关的合作，加速台湾硅光子服务的发展。未来随着研发制造能量的放大，台湾有机会成为AI 科技产业一个重要的基地。
成就台积电背后的六个男人
在台积电三十多年的发展史上，逆风翻盘的技术战役不算少数，其中最为关键的一战当属2003年那场以自主技术击败 IBM，一举扬名全球的 0.130 微米“铜制程”一役，直接将台积电推向世界的颠峰。
《透视台积电: 打造全球第一晶圆帝国》一书显示，1999年台积电营收只比联电多15%，2005年，台积电营收已经是联电的2.91倍，究其获利能力比联电技高一筹的原因之一就是，台积电在研发方面，0.11~0.13微米高阶制程比重高，平均售价高，遭受价格竞争压力较成熟制程—（0.18~0.25微米）小。据了解，0.13微米于2000年开始生产，在各家公司业绩都受到“网络泡沫”影响而直线下降的时，台积电靠0.13微米支撑住业绩，大幅提升市占率。
而帮台积电打赢这场战役，并因此被人称为“台积电研发六骑士”的林本坚、杨光磊、蒋尚义、孙元成、梁孟松、余振华一行人，每个人都在台积电发展历程留下了浓墨重彩、且不可或缺的关键几笔。
2003年台积电旧照 图源：今周刊
从左往右：林本坚、杨光磊、蒋尚义、孙元成、梁孟松、余振华
总体来看，六骑士技能各有千秋，其中林本坚是光学领域的国际大师；梁孟松是半导体制程技术专才；孙元成和杨光磊则是整体逻辑制程的整合专家，并负责良率的提升；余振华是铜制程及低介电材料的先驱；蒋尚义为总领导者。或许正是六骑士在不同领域各司其职，才让台积电从制程微缩到先进封装都独占鳌头。
在摩尔定律提出的近60年里，有过多次的瓶颈时期，铝制程是一个，光刻机的193nm波长也是一个，而这一次由台积电林本坚提出“浸润式微影技术”（以水为介，将193nm波长的光直接缩短至134nm），不仅让台积电一口气跳跃成长三个技术世代，成为世界的领先者，更让全球半导体制程得以往下推进约14 年时光，对全球半导体产业的先进制程贡献极大。
图源：网络
林本坚于2000年加入台积电，在加入台积电之前，林本坚于IBM 华生实验室工作22 年，创造出包括1 微米、0.75 微米、0.5 微米在内多项光刻技术，1975年他做出当时光刻技术最短波长的光线，并将其命名为“深紫外线”（DeepUV），至今仍被广泛应用，是光刻显影技术的主流。
在加入台积电后，林本坚于2002年开始推动浸润式微影技术，这对于当时专注于研发干式微影技术，并为此已经投入数十亿美元进行研发的众多半导体设备厂商来说，无疑是一记重磅炸弹。在林本坚的坚持下，2004年台积电与ASML成功完成开发全球第一台浸润式微影机台。
这一场漂亮的翻身仗，不仅让台积电首次主导了业界规格，也让ASML一跃成为如今的光刻机龙头。或许也正是因为这样的“过命交情”，目前台积电拥有全球数量最多、最先进的EUV光刻机，这也为其定增扩产如虎添翼。此后，林本坚还不断突破半导体微影技术限制，让微影技术从28nm的极限成功驶向20nm，并引领着浸润式进入10nm，甚至7nm、5nm制程世代！
如果说林本坚是光学高手，那么梁孟松就是在半导体先进制程模块开发的一流高手，师承Fin FET和UTB-SOI技术发明人胡正明。梁孟松于1992年7月加入台积电，2009年2月自研发处长职位离职后，在台积电任职的17年间，负责或参与台积电每一世代制程的最先进技术，在2003年那场0.13微米战役中，负责先进模组的梁孟松名列第二，功劳仅次于当时的资深研发副总蒋尚义。
图源：网络
或许人们开始更多地了解梁孟松是从2011年台积电的泄密诉讼开始，作为台积电近五百个专利的发明人，同时也是“新制程设备遴选委员会”的一员，梁孟松对台积电的重要性不言而喻，曾有人表示，梁孟松对于台积电先进制程掌握的广度与深度，以及从研发到制造整合的熟悉度，在公司少人能及。《天下杂志》对梁孟松的评价则是，“以一人的去留，能左右两地半导体业的消长。”足以说明梁孟松对台积电的重要性。
蒋尚义作为0.13微米战役中的总领导者，于1997 年加入台积电，2013 年退休，期间参与了 CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs 激光、LED、电子束光刻、硅基太阳能电池等项目；在台积电负责布局 0.25um、 0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm 甚至到 6nm FinFET 等关键节点之研发。
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在台积电间，蒋尚义将研发团队从 400 人扩编到 7600 人规模，培养成世界级的研发团队，研发经费也从数十亿元扩大到百亿元，堪称是台积电很重要的灵魂人物。张忠谋曾称赞蒋尚义，认可他是将台积电水平“从二军拉到一军”的重要推手。2009年，重返台积电后，蒋尚义专注于晶体管和先进封装项目。2011 年台积电第三季法说会上，张忠谋正式宣布台积电进军封装领域，现如今先进封装已经成为台积电的一大工作重点，并将其 2.5D 和 3D 封装产品合并为一个品牌，那就是“3D Fabric”，其竹南打造全球首座全自动化 3D Fabric先进封装厂也将预计今年下半年开始生产。
而对于台积电先进封装所取得的成就，余振华就是其中的重大功臣，目前担任台积电Pathfinding for System Integration副总经理，也是六骑士中唯一一个还在台积电任职的。
图源：网络
余振华于1994年加入台积电研发部门之制程模块开发单位，负责开发关键技术，从1997年起开始台积电铜制程研发工作，建立台湾第一座铜制程实验室。在0.13微米战役中，余振华负责的业务转为铜导线与低介电物质，归类于“后段”制程，曾一度被人忽视，直到摩尔定律开始逐渐放缓，人们才开始意识到封装对于降低成本的重要性。
2009年，在台积电开始开发“先进封装技术”后，张忠谋拨了 400 个研发工程师给余振华，而余振华也在两、三年后顺利开发出 CoWoS 技术，并对其进行进一步的结构简化。凭借着余振华研发的CoWoS，InFO-PoP及TSV技术，台积电成为iPhone 7的独家芯片供货商。到了2016年，越来越多的高性能芯片开始导入CoWoS技术，CoWoS迎来了胜利的曙光。不得不说，余振华的新技术将集成电路与封装结合起来，在全球开启3D-IC的时代，也使台积电能进入系统整合的新境界。
而杨光磊和孙元成两人作为整体逻辑制程的整合专家，杨光磊从1998年4月至2018年6月在台积电位于台湾及美国的公司先后担任包括研发处长在内的多个不同职位，并于2018年6月退休。
图源：网络
孙元成则于1997年加入台积电，任先进模块技术发展处处长，之后转任逻辑技术发展处处长，2000年被升任协理、资深处长，2006年擢升为研究发展副总经理，在2019年从台积电技术长及副总经理退休，目前担任阳明交大创新研究院总院长。
图源：经济日报
在台积电任职期间，孙元成先后主导先进制程技术蓝图，改造研发流程和基础架构，并自主开发新技术，同时与工厂和相关团队全力合作，将一代又一代的新技术移转至工厂量产，协助了台积电从以往的技术追随者，到现在的先进半导体技术的领头者。
此外，孙元成团队还制定节能CMOS SOC系统芯片技术，包含高速、共享逻辑、和低耗漏电晶体管IC平台以满足在不同市场和产品上的需求，其倡导之低耗电CMOS平台亦被国际技术蓝图委员会采用来制定技术规格需求之蓝图，开启手机与行动运算应用商机。
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